- P-ISSN 1225-0163
- E-ISSN 2288-8985
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해설 : 중성자 방사화분석법에 의한 반도체 특성조사 - 2 - 반도체 제조공정 및 표면 적층분석 -
Review : Characterization of Semiconductor Using Neutron Activation Analysis - 2 - Manufacturing Process and Surface Depth Profile Analysis
분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985
1998, v.11 no.6, pp.65-65
김낙배.
(1998). 해설 : 중성자 방사화분석법에 의한 반도체 특성조사 - 2 - 반도체 제조공정 및 표면 적층분석 -. , 11(6), 65-65.
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