Analysis of Trace Trichlorosilane in High Purity Silicon Tetrachloride by Near-IR Spectroscopy

박찬조; 이석근

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P-ISSN1225-0163
E-ISSN2288-8985
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E-ISSN 2288-8985

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15권 1호

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근적외선 분광법을 이용한 고순도 SiCl4 중의 미량 불순물 SiHCl3의 분석

Analysis of Trace Trichlorosilane in High Purity Silicon Tetrachloride by Near-IR Spectroscopy

분석과학 / Analytical Science and Technology, (P)1225-0163; (E)2288-8985

2002, v.15 no.1, pp.13-90

박찬조 (한국화학연구원)
이석근 (한국화학연구원)

박찬조, & 이석근. (2002). 근적외선 분광법을 이용한 고순도 SiCl4 중의 미량 불순물 SiHCl3의 분석. , 15(1), 13-90.

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Abstract

The content of $SiHCl_3$ as a trace impurity in $SiCl_4$ was analyzed by Near IR spectrophotometer with optical fiber. The strong absorption bands of $5345{\sim}5116cm^{-1}$ and $4848{\sim}4349cm^{-1}$ were used for analysis of $SiHCl_3$, and the detection limit of impurity $SiCl_3$ was appeared to be 0.005 ％ in the spectrum. The quantitative analysis by Near IR spectrophotometry showed the analytical possibility of trace impurity in $SiCl_4$ without sample pre-treatment not only in the laboratory but also in the field.

keywords: near IR, optical fiber, silicon tetrachloride, trichlorosilane

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근적외선 분광법을 이용한 고순도 SiCl4 중의 미량 불순물 SiHCl3의 분석

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